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功率金属氧化物场效应管
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1
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漏源间反向击穿电压
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3407.1
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只测： -3.5kV～3.5kV
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3407
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只测： -3.5kV～3.5kV
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2
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通态电阻
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3421.1
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只测： 0～10kΩ,,0～1500A
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3
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阈值电压
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3404
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只测： -10V～10V
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4
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漏极反向电流
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3415.1
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只测： -100mA～100mA
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5
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栅极漏电流
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3411.1
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只测： -100mA～101mA
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6
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体二极管压降
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 4011.4
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只测： 0A～1500A
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7
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跨导
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3475.2
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只测： 1ms～1000s
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8
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开关时间
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3472.2
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只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
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9
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3472
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只测： VD：5V～3.3kV， ID：100mA～1500A
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10
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体二极管反向恢复时间
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1
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只测： 10ns～2µs
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11
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体二极管反向恢复电荷
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3473.1
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只测： 1nC～100µC
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12
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栅极电荷
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3471.3
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只测： Qg：0.5nC～500nC
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13
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单脉冲雪崩能量
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3470.2
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只测： L：0.01mH～159.9mH， Ias：0.1A～1500A
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14
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栅极串联等效电阻
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功率MOSFET栅极串联等效电阻测试方法 JESD24-11:1996(R2002)
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只测： 0.1Ω～50Ω
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15
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稳态热阻
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半导体测试方法测试标准 MIL-STD-750F:2012 3161.1
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只测： Ph：0.1W～250W
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16
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 3161
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只测： Ph：0.1W～250W
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输入电容
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半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.10
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只测： -3kV～3kV,0～1MHz
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输出电容
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半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.11
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只测： -3kV～3kV,0～1MHz
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反向传输电容
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半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IEC 60747-8:2010 6.3.12
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只测： -3kV～3kV,0～1MHz
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老炼试验
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042
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只测： 条件A、条件B， Vdsmax：3500V， Tjmax：200℃
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温度，反偏和操作寿命试验 JESD22-A108F:2017
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只测： HTRB和HTGB试验
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间歇功率试验
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042
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只测： 条件D（间歇功率）
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稳态功率试验
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半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042
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只测： 条件C（稳态功率）
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