半导体IGBT双脉冲参数测试分析实验室

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测

  • 产品单价: 188.00元/台
  • 品牌:

    长禾实验室

  • 产地:

    陕西 西安市

  • 产品类别:半导体器件测试仪器
  • 有效期:

    长期有效

  • 发布时间:

    2023-12-07 10:06

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  • 产品详情

产品参数

品牌:

长禾实验室

所在地:

陕西 西安市

起订:

≥1 台

供货总量:

1000 台

有效期至:

长期有效

品牌:

长禾实验室

产地:

陕西西安

测试器件:

IGBT

详情介绍

西安长禾半导体技术有限公司功率器件测试实验室(简称长禾实验室)位于西安市高新技术经济开发区,是一家专业从事功率半导体器件测试服务的高新技术企业,是国家CNAS 认可实验室,属于国家大功率器件测试服务中心。

长禾实验室拥有尖端的系统设备、专业的技术团队和完善的服务体系。实验室现有先进的测试仪器设备100余台套,专业测试人员20余名。我们紧跟国际国内标准,以客户需求为导向,不断创新服务项目和检测技术,借助便利的服务网络,为合作伙伴提供优质高效的技术服务。

长禾实验室专注于功率半导体器件的动、静态参数检测、可靠性检测、失效分析、温循试验、热阻测试等领域的技术服务。业务范围主要涉及国内轨道交通、风力发电、科研单位、军工院所、工业控制、兵器船舶、航空航天、新能源汽车等行业。也是第三代半导体(宽禁带半导体)应用解决方案服务商。

长禾实验室秉承创新务实的经营理念,为客户提供优质的服务、完善的解决方案及全方位的技术支持;同时注重与行业企业、高校和科研院所的合作与交流,测试技术与服务水平不断提升。

检测项目

覆盖产品

检测能力

参考标准

功率循环试验(PC)

IGBT模块

ΔTj=100℃ 电压电流最大1800A 12V

IEC 客户自定义

高温反偏试验(HTRB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半导体器件等单管器件

温度最高150℃; 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温门极试验(HTGB)

MOSFET、SiC MOS等单管器件

温度最高150℃; 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温工作寿命试验(HTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度最高150℃ 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

低温工作寿命试验(LTOL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

温度最低-80℃ 电压最高2000V

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温储存试验(HTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度最高150℃;

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

低温储存试验(LTSL)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度最低-80℃

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温高湿试验(THB)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度最高180℃ 湿度范围:10%~98%

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高低温循环试验(TC)

MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度范围:-80℃~220℃

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

间歇寿命试验(IOL)功率循环试验(PC)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V,10A

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

稳态功率试验(SSOL)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件

ΔTj≧100℃ 电压电流最大48V,10A

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高加速应力试验(HAST)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃/110℃ 湿度85%

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

*无偏压的高加速应力试验(UHAST)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度130℃ 湿度85%

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

高温蒸煮试验(PCT)

MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品

温度121℃ 湿度100%

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

预处理试验(Pre-con)

所有SMD类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

潮气敏感度等级试验(MSL)

所有SMD类型器件

设备满足各个等级的试验要求

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等

*可焊性试验(Solderability)

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件

有铅、无铅均可进行

美军标,国标,JEDEC,IEC,AEC,客户自定义等


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