碳化硅MOS雪崩耐量,短路特性实验室

功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体,我们是做IGBT测试、SiC测试、间歇寿命测试、老炼测试

  • 产品单价: 面议
  • 品牌:

  • 产地:

    陕西 西安市

  • 产品类别:半导体分立器件
  • 有效期:

    长期有效

  • 发布时间:

    2023-12-07 10:06

该企业其他产品更多»
半导体测试服务商
¥面议 369人浏览

半导体测试服务商

推荐  
半导体静态测试,动态测试服务(长禾实验室)
¥面议 111人浏览

半导体静态测试,动态测试服务

推荐  
IGBT动、静态参数测试
¥1.00 169人浏览

IGBT动、静态参数测试

推荐  
IGBT静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量测试服务
¥1.00 207人浏览

IGBT静态参数,动态参数,热特

推荐  
IGBT功率模块/器件测试服务 长禾实验室
¥1.00 205人浏览

IGBT功率模块/器件测试服务 长

推荐  
  • 产品详情

产品参数

品牌:

未填

所在地:

陕西 西安市

起订:

未填

供货总量:

未填

有效期至:

长期有效

详情介绍

功率器件的静态参数测试/功率器件的动态参数测试,欢迎联系西安长禾半导体,我们是做IGBT测试、SiC测试、间歇寿命测试、老炼测试、HTGB测试、HTRB测试、HT3GB测试、热阻测试、RTH测试、静态/动态参数测试、失效分析。

随着技术发展,第三代半导体功率器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大。通常这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。西安长禾半导体积极布局第三代半导体功率器件的测试业务,引进国际先进的测试技术,为功率半导体产业上下游企业提供器件参数检测服务,助力器件国产化、高新化发展。

测试标准:

覆盖MIL-STD-750,IEC 60747系列,GB/T29332等标准;服务内容包括:静态参数,动态参数,热特性,雪崩耐量,短路特性及绝缘耐压测试;设备支持0-1500A,0-3000V的器件参数检测。

产品范围:

MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块

测试项目:

静态参数 符号

Drain to Source Breakdown Voltage       BVDSS

Drain Leakage Current                             IDSS

Gate Leakage Current                              IGSS

Gate Threshold Voltage                          VGS(th)

Drain to Source On Resistance                RDS(on)

Drain to Source On Voltage                      VDS(on)

Body Diode Forward Voltage                      VSD

Internal Gate Resistance                                Rg

Input capacitance                                       Cies

Output capacitance                                  Coes

Reverse transfer capacitance                    Cres

Transconductance                                   gfs

Gate to Source Plateau Voltage          Vgs(pl)

动态参数 符号

Turn-on delay time                                  td(on)

Rise time                                                     tr

Turn-off delay time                                    td(off)

Fall time                                                       tf

Turn-on energy                                         Eon

Turn-off energy                                         Eoff

Diode reverse recovery time                       trr

Diode reverse recovery charge                 Qrr

Diode peak reverse recovery current       Irrm

Diode peak rate of fall of reverse

recovery current                                       dirr/dt

Total gate charge                                       QG

Gate-Emitter charge                                QGC

Gate-Collector charge                             QGE

其他参数 符号

thermal resistance                                    Rth

Unclamped Inductive Switching              UIS

Reverse biased safe operating area        RBSOA

Short circuit safe operation area            SCSOA

新手指南
采购商服务
供应商服务
交易安全
关注我们
手机网站:
新浪微博:
微信关注:

周一至周五 9:00-18:00
(其他时间联系在线客服)

24小时在线客服